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G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作，而i-line光刻膠使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成電路制作。 此外，這兩種光刻膠均可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產品的制作。

這類方法強調設計、制造、檢測全鏈路協同：在設計階段提前融入制造可行性考量，在制造過程中錨定芯片電學性能開展優化，最終實現芯片良率與生產效率的全方位提升。

為減少雜質對芯片良率的影響，實際生產中不 僅需要提高單次清洗效率，還需在幾乎所有制程前后進行頻繁清洗。按照清洗原理來分，清洗工 藝可分為干法清洗和濕法清洗，目前 90%以上的清洗步驟以濕法工藝為主。在濕法清洗工藝路線 下，主要包括單片清洗設備、槽式清洗設備、組合式清洗設備和批式旋轉噴淋清洗設備等，其中 以單片清洗設備為主流。

2.1 DPC技術DPC技術是先其制作首先將陶瓷基片進行前處理清洗，利用真空濺射方式在基片表面沉積 Ti/Cu 層作為種子層，接著以光刻、顯影、刻蝕工藝完成線路制作，最后再以電鍍/化學鍍方式增加線路厚度，待光刻膠去除后完成基板制作。 關鍵技術涉及激光打技術、避免孔壁熔渣、鍍銅的一致性、填孔效果等。

2.1 DPC技術DPC技術是先其制作首先將陶瓷基片進行前處理清洗，利用真空濺射方式在基片表面沉積 Ti/Cu 層作為種子層，接著以光刻、顯影、刻蝕工藝完成線路制作，最后再以電鍍/化學鍍方式增加線路厚度，待光刻膠去除后完成基板制作。

54.模具的cavity number 的確定因數有：單件部品的成形費用，平均每件部品的模具制作費用，部品精度要求，模具制作難易程度等決定。55.成型有腐蝕性樹脂是模具材料要選擇耐腐蝕材料，或在模具表面作防腐處理；成型含玻璃纖維等高強度填充材料的樹脂時，模具零件必須有相應的硬度。56.水管離模仁的距離應大于4mm。

54.模具的cavity number 的確定因數有：單件部品的成形費用，平均每件部品的模具制作費用，部品精度要求，模具制作難易程度等決定。 55.成型有腐蝕性樹脂是模具材料要選擇耐腐蝕材料，或在模具表面作防腐處理；成型含玻璃纖維等高強度填充材料的樹脂時，模具零件必須有相應的硬度。 56.水管離模仁的距離應大于4mm。

10.最終在晶圓上完成數層電路及元件加工與制作。